用粉体制备和高温熔凝工艺在ｎ〈１１１〉型单晶硅基片上制备了非晶态ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３复合膜驻极体。实现对ＳｉＯ２薄膜驻极体的改性，恒栅压电晕充电、等温表面电位......