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C-t瞬态分析相关论文

硅MOS结构C—t瞬态分析中产生区宽度的新模型

在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上，提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型，它也可以看作是对Zerb......

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半导体产生区宽度模型硅 MOS结构 C-t瞬态分析 semiconductor MOS structure generation width model

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