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该文利用快速热退火(RTA)工艺改进了常规三步退火内吸除工艺,对RTA处理与其后低高温两步退火对硅片中点缺陷、氧沉淀和洁净区形成......
研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处理中......