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Co－Si化合物相关论文
    Si衬底上Co薄膜氧化观察
    用透射电子显微镜和Ｘ射线衍射方法研究Ｓｉ衬底上的Ｃｏ薄膜氧化．发现：在５５０℃以下，薄膜氧化产物是ＣｏＯ；在９００℃再次进行真空热处理，ＣｏＯ能转变为硅化物．薄膜氧化......
    期刊
    薄膜 Co－Si化合物 氧化