使用了基于密度泛函理论的第一性原理的方法，计算了外延关系为CoSi（001）//MgO（001）的薄膜生长体系的电子结构和磁矩，以及分析了其电荷密......

该文研究在Si(100)衬底上外延生长CoSi薄膜异质固相外延新技术.通过Co/Ti/Si及Co/a-Si/Ti/Si等多层薄膜固相反应,研究了硅化钴/硅......

本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、......

通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多结构固反应得到的外延ＣＯＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结，研究了ＣｏＳｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特......