DCFL相关论文
从精确的包含源、漏电阻的器件 Shockley模型出发用计算机示波器方式模拟了 CaAs IC逻辑单元三输入端DCFL电路.模拟结果给出了三输......
给出了对ＤＣＦＬ电路单元的研究，包括电路设计和用先进的Ｐ埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模ＧａＡｓ ＤＣＦＬ电路的设计和制造......
2008年2月22日，斗山金融株式会社在北京中国大饭店举行了斗山（中国）融资租赁有限公司（以下简称DCFL，“Doosan（China）Fi-nancial Leasing．Co......
本文介绍了高电子迁移率晶体管(HEMT),赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)和用它们做的直接耦合场效应逻辑电路(DCFL)的结构、设计和制造......
直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓ ＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度......
本文对HEMT DCFL倒相器直流传输特性及瞬态特性进行了模拟分析.在HEMT单管特性分析中,利用了K.Park的I-V特性分析模型,通过对E/D倒......
利用作者提出的HEMT DCFL倒相器直流传输特性及瞬态特性计算机分析的模型,设计并制成了HEMT DCFL门电路及环形振荡器.在电路设计中......
