用分子束外延 (MBE)设备制备了 Ga As/ Al As和 Ga As/ Si/ Al As异质结 ,通过 XPS分别研究了异质结界面处 Si层厚度为 0 .5 ML 和......

对温度５００℃、ＲＦ氧等离子体氧化生长的ＳｉＯ２形成的ＭＯＳ结构进行了ＤＬＴＳ测量。应用能量分辨ＤＬＴＳ模型对这种高密度界面陷阱的特性进行了分析和计算。结果表明......

用分子束外延（MBE）设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结，通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调......