G-R噪声相关论文
测量了50 余只980nm InGaAsP/InGaAs/GaAlAs 双量子阱半导体激光器的低频噪声。结果发现，在小注入条件下，有的器件表现出很明显的g-r......
为了表征PbS薄膜光导红外探测器的材料缺陷,详细推导了1/f和产生-复合(g-r)噪声物理模型,并由实验数据验证了模型的准确性.利用1/f......
在论证了晶体管低频噪声中的 g r噪声服从非高斯分布之后 ,提出了一种通过计算晶体管低频噪声的高阶累积量来判断是否含有 g r噪声......
在论证了晶体管低频噪声中的g-r噪声服从非高斯分布之后,提出了一种通过计算晶体管低频噪声的高阶累积量来判断是否含有g-r噪声的......
本文根据发射结空间电荷区深能级缺陷诱生ｇ－ｒ噪声机构，建立了双极晶体管ｇ－ｒ噪声定量分析，从而对实验上观察到的双极晶体管ｇ－ｒ噪声的偏置特性作......
测量了大功率InGaAsP／GaAs量子阱半导体激光器在五十分之一阈值电流下的电压低频噪声功率谱密度。实验结果显示，激光器的低频电噪声......
对光电耦合器件1/f噪声和g-r噪声(产生-复合噪声)的偏置特性及其产生机理进行了实验和理论研究.结果表明:在低频段,光电耦合器件的......
本文对大量晶体管g-r噪声测量结果表明,常温下g-r噪声具有很宽的时间常数分布及可能有很大的幅度.现有的文献已无法解释这些实验结......
薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征，与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5kΩ镍铬薄膜电阻器分别在......
随着航天技术、核能技术及其核武器等高技术的迅速发展,越来越多的MOS器件需要在电离辐射环境中工作。由于电离辐射将在MOS器件中......
PbS红外探测器的研究开始较早,由于其室温的优越性,至今应用仍很广泛。然而噪声严重影响了其性能,因此其噪声的研究目前很受重视。......
本论文围绕半导体激光器的低频电噪声的检测技术展开研究。首先,作为论文的前期工作,在研究了半导体激光器驱动技术及光电特性的基......
硅以及砷化镓作为第一代和第二代半导体材料的代表推动了微电子技术发展,由于材料性能的限制,并不能满足高温、高频、高压、大功率......
