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MOCVD法生长Ca<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关......
期刊
近红外光致发光
深能级
金属有机物化学气相沉积
Ga0.5In0.5P
near-infrared photoluminescence
deep lev
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