GaN:Mn(1010)薄膜相关硕士博士期刊学术论文

GaN是一种性能优良的Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体材料,被誉为第三代半导体材料的典型代表,其研究和应用备受瞩目。基于GaN体系掺杂磁性杂......