GaN基激光器相关论文
硅衬底GaN基微盘激光器模式体积小、功耗低,在光电集成、单光子发射、化学生物探测等领域具有重要的应用前景。常规GaN基微盘激光......
利用模拟软件Apsys对GaN基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)中的载流子分布和输运进行模拟计算,研究如何改善LED中的效率下降......
垂直腔表面发射激光器(VCSEL)相比于传统的边发射激光器(EEL)具有低阈值电流和高速直接调制等优点,然而VCSEL中电子阻挡层(EBL)存......
采用转换矩阵的处理方法，计算出了光场在GaN基激光器腔面和薄膜介质中的分布，提出了不改变光功率输出时，降低前后腔面光功率、提高GaN......
本论文主要进行GaN基蓝紫光激光器材料生长、器件结构与工艺以及激光器光学电学性质的研究，包括以下内容：
1.制备了增益波导GaN......
本论文研究GaN基激光器的p型技术与激光器结构设计。首先，我们研究了低温p-(Al)GaN生长，随后阐明碳杂质对p-GaN欧姆接触的影响机制，接......
蓝-紫光GaN基激光器是迄今为止半导体激光器中波长最短的可见光激光器,是下一代高密度光存取(DVD)系统必不可少的核心光源.在国家8......
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性，用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料，以及......
在（0001）蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别......
<正>Aresearch team led by YANG Hui and CHEN Lianghui with the CAS Institute of Semiconductors (ISCAS)has made breakthrou......
采用LASTIP软件研究了InGaN/GaN（In组分为15%）量子阱垒层和阱层厚度对GaN基蓝紫光激光器性能的影响及机理.模拟计算结果表明,当阱层......
在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分......
随着半导体材料生长技术和器件制作工艺的发展,大功率GaN基半导体激光器已实现商业化,其在许多领域都具有重要应用。但普通边发射......
