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GaN外延片相关论文

氮化镓衬底β-Ga2O3外延薄膜的制备及性质研究

Ga2O3有五种同分异构体:α,β,γ,δ,ε,这几种结构中,最稳定的是β异构体。与第三代半导体典型代表GaN材料(禁带宽度:3.4 eV;击穿......

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脉冲激光沉积 β-Ga2O3异质外延薄膜 GaN外延片纳米多孔GaN 分布布拉格反射镜(DBR) 光电性质

氮化镓基LED外延片的SIMS溅射坑底形貌研究

二次离子质谱仪（SIMS）具有高灵敏度、高分辨率等特点，是目前微电子科学领域一种不可替代的定量分析手段。用SIMS对半导体材料中微量元......

学位

SIMS 离子溅射 GaN外延片表面形貌纳米点

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