GaN纳米带相关论文
利用导电原子力显微镜技术研究了单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能.首先使用化学气相沉积法制备出结晶性良好的GaN纳米带,然......
为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1 000℃下常压通......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,是一种重要的宽带隙半导体材料,具有优良的光电特性和稳定的物理特性,是当今世界上最为先......
近年来,微机电系统(MEMS)的研究趋于成熟,微纳机电器件在市场中也被广泛应用。GaN纳米材料因其具备高击穿电压、高热导率和耐腐蚀......
