GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)相关论文
基于GaNHEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC.利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实......
介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路.基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于高压、大功率等应力条件导致的电学退化过程中往往伴随着结构退化现象产生,结构退化研......
本文介绍了常开GaN功率开关器件是耗尽型GaN HEMT,其击穿电压的提高和栅漏间距、栅极漏侧电场分布以及体穿通、栅极漏电的抑制等因......