采用形变势理论系统地研究了(001)、(110)、(111)晶面双轴张应变以及[001]、[110]、[111]晶向单轴张应变Ge1-xSnx导带结构。结果表......

Ge1-xSnx合金是一种新型的Ⅳ族半导体合金材料，其晶格常数、能带结构可以在较宽的范围内进行调控，使其在硅基高效光电器件、硅基微电......

未来信息技术发展的必由之路是实现微电子技术和光子学技术的融合,而目前世界上90%以上的电子器件和电路都是以硅为基础的,技术的......