本文采用密度泛函理论，利用Dnlol3软件，分别研究了掺杂的半导体团簇GeB(n=12～19)和GeCo(n=1～13)的几何结构，电子性质和磁性，得到了稳定的......

利用第一性原理在广义梯度近似下,研究了Ge-B(n=12-19)团簇的结构和电子性质.结果表明:GenB(n=12-19)团簇具有较大的能隙;这些团簇......