通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个......

ＡｌＮ是一种重要的近紫外，蓝光半导体材料，本文就ＡｌＮ的物理特性，薄膜生长，性能测试分析的研究进展作一些阐述，对ＡｌＮ在制作发光器件，固溶体合金，电学绝......