High-K材料相关论文
随着MOSFET器件尺寸的减小，尤其是栅电极SiO2介质层厚度的减小，出现了漏电流增大与器件可靠性降低两大问题。使用高介电常数(High-K)......
High-k材料是指介电常数k高于Si02的材料.使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电......
近日，卢森堡大学的物理学家们发现了一种具有特殊电性质的材料。三年前，这些物理学家基于理论计算预言了一种特殊材料的“异常”特性......
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这......
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