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新型低功耗IMOS器件研究
CMOS技术按照摩尔定律不断发展以获得性能和集成度上的提高。当器件尺寸缩小到纳米尺度之后,由泄漏电流导致的功耗问题日益严重起来......
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基于PIN的IMOS与TFET器件研究
集成电路(IC)技术遵循“Moore定律”的发展进入了纳米尺度,来自短沟道效应、寄生效应以及量子隧穿等问题的挑战使得传统的微电子器......
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