IV特性相关论文
半导体薄膜场效应晶体管,具备容易制备,耗能较低,制备的器件各项性能稳定性较好等优点,是集成电路制造中的基础单元器件。因半导体......
2维(2D)SnO半导体薄膜材料及在微纳电子器件中的应用问题受到了人们的广泛重视。近年来,各国科学家们已从 SnO材料及器件的制备研究......
本文在量子点的球方阱模型基础上,利用转移哈密顿法计算了纳米粒子自组装体系电子的跃迁几率,在此基础上,通过求解电子跃迁的主方程即......
为准确对户外光伏组件性能进行比对,设计了一款基于IV曲线测试的户外多通道光伏组件评测系统。系统采用便携式计算机作为上位机,与......
利用MATLAB灵活丰富的绘图功能,在半对数坐标下画出了PN结的IV曲线。根据其形态,可以对PN结的性能作出定性判断。逼近该曲线所需的直......
本文主要研究了薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的电流电压(IV)特性,并基于Pao-Sah模型建立了一个适用于不同温度、不同漏极电压......