In2Se3纳米结构相关硕士博士期刊学术论文

硒化锢（In2Se3）作为一种特殊的宽禁带Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体,具有很高的电阻率以及多个晶格相。由于其特殊的电学、光学特性被广泛应用......