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最大振荡频率640 GHz的70nm栅长InAs PHEMTs器件(英文)
由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提......
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