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制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一.对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的......
本文应用等光强方法,在0.75μm至带边的波段内对无掺杂的n型InP单晶(n_0=2×10~(16)cm~(-3))分别测量了298K、77.4K、50K、20K......
