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LBL生长技术相关论文
用生长/氢等离子体交替处理堆积层表面技术制备微晶硅薄膜
利用HW-MWECR CVD系统,用氢等离子体处理间隙生长堆积层表面技术,制备了一系列不同厚度的μc-Si:H薄膜.发现,当薄膜厚度在0.55μm以......
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