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ICP硅刻蚀中底部掏蚀现象研究
等离子硅深槽刻蚀中,反射离子造成的掏蚀现象直接影响MEMS器件的加工质量,通过在现有ICP硅深槽刻蚀工艺条件的基础上进行改进,有效的......
期刊
深槽刻蚀
结构释放
Log效应
掏蚀
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