采用射频磁控溅射方法制备复合敏感栅MIS二极管H2S气体传感器.具体结构为:敏感栅/SiO2/n-Si/Al,敏感栅薄膜为Ag2O-SnO2、Ag-SnO2或......

在（NH4）2S硫化后的n^-型InP衬底上热蒸发ZnS薄膜制得Au／ZnS／InP（100）MIS器件，测得了其I-V特性曲线以及3MHz下的高频C-V曲线和100Hz下的准......