本文介绍了GaAs SOI衬底上制备MM-HEMT材料的方法.器件结果显示了优良的电荷控制能力,降低了衬底漏电流和1/5噪声.......

采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的InGaAs/InAlAs MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov-de......

采用变磁场霍耳测量,在１．５~９０Ｋ的温度范围内,研究了经过快速热退火与未退火掺杂ＭＭ－ＨＥＭＴ材料中二维电子气的输运特性通过对Ｓｈｕｂｎｉｋｏｖ－ｄｅＨａｓｓ(ＳｄＨ)振荡曲线进行快速Ｆｏｕｒｉｅｒ变......

采用变磁场霍耳测量,在1.5～90K的温度范围内,研究了经过快速热退火与未退火掺杂MM-HEMT材料中二维电子气的输运特性.通过对Shubniko......