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MOS反型层相关论文
DR-Ge1-xSnx合金与MOS反型层能带结构及迁移率研究
单片同层光电集成是未来高性能计算机和5G高速通信、低功耗光电集成电路的解决方案,是国内外的研究热点之一。在当前微电子技术面......
学位
DR-Ge1-xSnx
能带结构
载流子迁移率
MOS反型层
同层单片光电集成
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