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Al x Iny Ga1-x-y N四元化合物半导体材料,通过调节Al和In的组分不但可以实现禁带宽度和晶格常数的独立调节,还可以与GaN缓冲层的热......
Ⅲ族氮化物半导体因其连续可调的宽广的直接带隙及其优越的物理、化学性质,在光显示、光照明、光存储、光探测和功率电子器件等光电......
本文在国内首先报道采用MOVPE技术研制成功了InGaAsP/InP应变补偿型量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成器件,实现了30mW单纵模工作。采用调制光放大器......