Mg2Si薄膜相关论文
采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处......
采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg_2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg_2Si薄膜结构及其电学性质......
采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备Mg_2Si半导体薄膜.首先在钠钙玻璃衬底上依次溅射一定厚度的Si、Mg薄膜,冷却至......
本文主要研究了基于半导体材料硅化镁(Magnesium Silicide,Mg_2Si)异质结的制备及其光电特性。分析了沉积的Si、Mg薄膜厚度对Mg_2S......
采用磁控溅射技术、退火工艺和丝网印刷技术,在N-Si（111）（ρ>1000Ω·cm）衬底上分别溅射厚度为360nm、400nm、440nm、480nm、520nm、56......
Mg2Si是一种具有间接带隙的半导体材料,其原料贮备丰富,且环境友好,极富应用前景。它的吸收带边位于0.74 eV左右(波长约1600 nm),......
环境友好型半导体材料硅化镁（Mg2Si）是一种窄带隙间接半导体材料。目前,微电子行业主要基于Si材料进行应用,在Si衬底上生长Mg2Si薄膜......
采用脉冲激光沉积方法在Si(111)基片上制备了Mg2Si薄膜。研究了激光能量密度、退火气氛及压强、退火温度、退火时间等工艺条件对Mg......
采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si（111）衬底上沉......
采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜，研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si（111）衬底上溅射沉积380......
采用磁控溅射技术和退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备了Mg2Si半导体薄膜,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响。在钠钙......
采用直流磁控溅射系统,在Si（100）衬底上制备了外延Mg2Si半导体薄膜。通过XRD和场发射扫描电子显微镜（FESEM）对Mg2Si薄膜的晶体结构和表......
Mg2Si是一种环境友好型半导体材料,具有良好的光电特性和热电特性,在光电探测器方面是一种很有潜力的材料。本文主要采用磁控溅射......
硅化镁（Mg2Si）被称为环境友好半导体材料,在光电器件、电子器件、能源器件领域具有重要的应用前景。本文采用磁控溅射方法分别在不同......
