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MoO3Al2O3双层栅介质相关论文
氢终端多晶金刚石MOSFET器件制备和特性研究
在半导体电子器件制备领域金刚石被誉为终极半导体材料。金刚石的禁带宽度为5.5 eV,热导率为22 W/(cm·K),击穿电场大于20 MV/cm,......
学位
多晶金刚石
氢终端
MoO3/Al2O3双层栅介质
转移掺杂
零栅源间距
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