用N沟道功率MOSFET(以下简称N管)作低端驱动(N管在负载的下面)是最简单的．尤其是采用丌L逻辑电平控制的N管。只要在栅极端加高电平，N......

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国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出IR5001S通用高速控制器／N沟道功率MOSFET驱动器，用于高性能有源ORing电路。这款有......

Analog Devices，Inc．（ADI）推出两款电流模式、同步降压型控制器ADP1882和ADP1883，支持2．75V至20V输入电源电压范围。这两款器件采用恒定......

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MAX17005／MAX17006／MAX17015是高频、多化学类型电池充电器IC，允许使用n沟道功率选择开关。MAX17005可用于3～4节电池充电（单节电池电压......

Vishey推出带有同体封装的190V功率二极管的190VN沟道功率MOSFET-——SiA850DJ，该器件具有2mm×2mm的较小占位面积以及0.75mm的......

Allegro宣布推出两款全新N沟道功率MOS-FET驱动器IC，能够控制以半桥配置连接的MOS-FET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感......

Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻，以及22A-47A的......

Analog Devices，Inc．（ADD推出两款电流模式、同步降压型控制器ADP1882和ADP1883，支持2．75～20V输入电源电压范围。这两款器件采用恒定导通......

全球领先的高性能信号处理解决方案供应商Analog Devices,Inc．（ADI），最近推出两款电流模式、同步降压型控制器ADP1882和ADP1883，支持2．75......