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Ⅲ-Ⅴ族氮化物掺杂改性的第一性原理研究
作为第三代半导体材料,Ⅲ-Ⅴ族氮化物(AlN、GaN、InN、BN)及其混晶因其在微电子、光伏器件、自旋电子等领域有着广阔的应用前景,引起......
学位
Ⅲ-Ⅴ族氮化物
声子
热力学性质
Al0.25Ga0.75N(0001)表面
O吸附
铁磁性
第一性原理计算
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