PIN结构相关论文
光电探测器是一种利用光电或光热效应将光能与电能相互转换的器件,被广泛应用于军用和民用领域。在过去的几十年里,Ⅳ族Si、Ge等材......
传统的经典理论认为,半导体多量子阱结构中存在很强的量子限制效应,可以有效地对载流子进行捕获和限制,因此多量子阱结构被广泛的......
辐射伏特式同位素电池使用寿命长、易于小型化,是微能源领域的优良选择。使用宽禁带半导体材料作为电池换能元件理论具有更高的能......
期刊
我们在 p-i-n 类型和分开的吸收调查了电场的分发，增加(SAM ) 类型在不同反向的偏爱价值下面轧了雪崩光电二极管。我们也分析了每层......
首先介绍IGCT配套用FRD器件的特点和国内外发展现状,进而说明FRD器件的结构设计原则;详细阐述了FRD器件的粒子辐照技术,并采用质子......
在微纳米PIN电光调制器的基础上，分析了载流子浓度对其调制特性的影响。根据注入调制区载流子平均浓度随时间变化关系，采用在驱动信......
我们使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器，研究了探测器对X射线响应的多方面性能.在没有X射线照射时，探测器具有很低的漏电......
与传统的硅基和化合物太阳能电池相比，有机太阳能电池有许多很有潜力的优势。例如：制备简易、可大面积成膜。廉价尤其是有机太阳能电......
本研究制备了GaN基PIN结构紫外探测器。用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为5×1014 cm-2和2×1O15 cm-2的辐照。通过测量辐照......
提出了用ＰＩＮ结构代替通用的ＰＮ结构构组成自扫描光电二极管列阵的构想，并从理论上推导了再充电采样的ＳＳＰＡ性能参数的一般表达式。由此推断出ＰＩＮ结......
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所对蓝宝石衬底的GaN晶片进行了核应用研究，已取得系列成果。在核探测器应用研究方面，研究人......
研究了用于喇曼放大的绝缘硅（SOI）脊形波导中自由载流子寿命与非线性光学损耗的关系.通过理论推导结合二维数值模拟的方法,提出了带......
紫外探测器在军事高科技和民品市场的紫外通信和成像方面具有很高的价值.探讨了AlGaN pin 紫外探测器的制作工艺和材料及结构对器......
研究了载流子寿命对SOI有源光波导器件工作性能的限制及影响，分析了制约载流子寿命减小的若干因素，综述了采用合理设计减小波导截面......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
基于本征吸收、扩展态输运观点,对表面光电压法(SPV)测量a-Si:H PIN结构Ⅰ层少子扩散长度作了理论推导。与传统的SPV法相比,考虑了......
通过利用突变结PIN理想结构电场分布模型,分析了该结构发光二极管(LED)反向击穿电压与非故意掺杂有源区厚度的线性相关性。通过利......
pin器件在整流和探测领域都有着重要的潜在应用价值。为了提高器件伏安和光电探测性能,提出了一种新型的p-硅/i-氧化铝/n-掺铝氧化......
期刊
基于磷光染料的有机电致发光器件(PHOLED:phosphorescent organic light-emitting diodes)可以同时捕获电致激发的单线态和三线态......
本文将主要讨论锗薄膜表层PIN光电探测器的设计。包括过渡层在内的锗薄膜层,设备能够很好的接收硅波导信号并且在重掺杂p＋/n＋区域的......
