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高击穿电压复合介质结构垂直GaN基PN二极管优化设计
PN结边缘处存在的电场拥挤现象一直是限制器件耐压提升的关键原因。以缓解PN结边缘处的电场拥挤现象为目的,一种具有复合介质层的......
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GAN
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