PVD-AlN缓冲层相关硕士博士期刊学术论文

AlGaN材料是一种直接宽禁带半导体,带隙能量在6.2 eV3.4 eV内连续可调,基于AlGaN材料的紫外光电器件具有波长连续可调、全固态、体......