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利用Geant4程序模拟了270keV、500keV^4Ht，离子垂直入射到Au、Ag、Cu薄膜的卢瑟福背散射谱（RBS），讨论了材料、厚度和入射离子能量对背......
利用Geant4程序模拟270,500keV4 He和12 C离子垂直入射Au,Ag,Cu薄膜上的Rutherford背散射谱（RBS）,并讨论材料、厚度和入射离子能量对......
SiGe合金薄膜中的Ge含量及分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响.本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe/Si和......
卢瑟福背散射分析技术（Rutherford Backscattering Spectrometry）简称RBS是一种无损、快速、直接分析表面杂质浓度和杂质深度的重要......
