RCA清洗相关论文
简述了VDMOS器件制造工艺流程,介绍了其中常用的RCA清洗、SPM去胶、BOE腐蚀、Al腐蚀等湿法工艺,并对相关湿法设备的配置以及工作原......
综述了碲镉汞分子束外延所用的si衬底的传统RCA清洗方法和改进的RCA清洗方法的机理、清洗特点和清洗局限.最后介绍了碲镉汞分子束......
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高,传统的RAC清洗方法已不能满足其需求,因此,......
掩膜版在生产、使用和保存的过程中,均有可能产生缺陷。掩膜版上缺陷的存在,会直接影响到每一个芯片的性能,严重者可能会造成整批......
硅外延片非常适合且已经被广泛用作制备功率半导体器件,但其供给远远不能满足市场需求。硅外延片清洗后,可能会造成表面有机物、颗......
简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化......
简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方......
半导体行业中的很重要的一道工序就是对半导体材料的清洗,这直接影响着半导体材料的质量及下游产品的性能。介绍了硅片表面污染的......
主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺及化学湿法清洗设备在使用时安全隐患和防腐保护措施的应用。在设备的主体、电气控制系统、加热......
对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,......