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利用300keV的P+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入,经H2/N2混合气氛下的快速退火,结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激......
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