Sb掺杂SnO2薄膜相关论文
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SE......
采用化学气相沉积法(CVD)制备了Sb掺杂SnO2薄膜(ATO),研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SE......
以单丁基三氯化锡(MBTC)和SbCl3为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD法)在不同的基板温度下制备Sb掺杂SnO2薄膜,用XRD、SEM表......
以无水SnCl4为原料,通过sol-gel法制备出稳定性很好的SnO2溶胶并由此得到掺杂的SnO2薄膜.利用差热-热重分析、XRD、IR等手段分析了......
随着第三代半导体材料的发展,宽带隙氧化物半导体材料成为人们关注的焦点和热点。宽带隙氧化物半导体材料是制备透明及紫外光电子......
透明导电氧化物薄膜材料广泛应用于建筑、电子、光电和机械等领域,但目前通常采用的ITO（Sn掺杂In2O3）膜由于存在热稳定性差、膜要层......
