Si基底相关论文
通过氧化还原反应在不同的银离子溶液、氢氟酸溶液中制备出了硅基银枝晶纳米材料，采用X 射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和拉......
本文介绍了采用直流磁控溅射方法在单面抛光Si基底上制备Nb薄膜,通过SEM,EDS,XRD的分析,探究了不同溅射功率薄膜的表面形貌和均匀......
自1999年Zwilling等人报道了用简单的电化学阳极氧化法制备TiO_2纳米管以来,TiO_2的纳米管结构逐渐引起了各领域科研人员的极大关......
本论文采用间歇式P-CVD法,H2/CH4气氛。以直径20mm的Si基底在上直径40mm的Mo基底在下的叠放方式,同时研究了温度对二者合成金刚石......
采用磁控溅射方法在Si(100)基底上制备了Cr-Si-Ni电阻薄膜,研究了不同温度退火时薄膜微观结构的转变过程以及对电阻率的影响.结果......
用6MeV F离子束辐照了淀积在Si单晶基底上的Sb、Ag、Cu、Pd和Ni金属薄膜,并用胶带法对不同辐照剂量的各点进行了增强附着阈剂量的......
Nd:YAG脉冲激光扫描照射单晶Si基底表面AgNO3薄膜, 薄膜热分解产生的Ag沉积在 Si基底表面形成沉积线. 在激光功率为2.8 W, 频率为3......
利用自组装方法将DNA分子吸附于Si基底表面,并通过原子力显微镜（AFM）观察不同质量浓度的DNA溶液在Si基底表面进行自组装后的结构：当DN......
利用化学池沉积法在化学镀镍的n-Si基底上沉积MoS2薄膜.结果显示,MoS2膜的最佳合成条件为：钼酸铵浓度为10-4 mlo/L,退火温度为850℃......
