Si掺杂和Mg掺杂相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

Si掺杂和Mg掺杂相关论文

非极性AlGaN材料生长及探测器制备技术研究

AlGaN材料在室温下的禁带宽度范围为3.4～6.2 eV,它可用于制备紫外发光器件和紫外探测器。紫外探测器具有重要的应用价值,如保密通信......

学位

非极性 AlGaN材料金属有机化合物化学气相外延 Si掺杂和Mg掺杂表面性质 GaN基紫外探测器

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