IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）器件具有大电流、高功率、易驱动的特点,广泛应用于高压输电、交通运输、家用电器、军事设......

用LPCVD法在n型6H-SiC(0001)面(Si面)上异质沉积了Si薄膜,通过控制B2H6的流量实现Si薄膜的低掺杂和重掺杂.做成了Si/6H-SiC异质结p......

功率半导体器件是功率集成电路的核心器件,起到了电能转换和电路控制的关键作用,因此它不仅是影响芯片性能制造成本的重要因素,还......