研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光嗅迁的产机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁......

考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应，建立起少数载流子室温和低温模型，并进行了定量的计算。研究发现，ｐ－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ中的少子浓度随ｘ的增加而增加。在重......

探索利用反应离子刻蚀 ( RIE)和湿法腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的工艺条件。对两种腐蚀方法的利弊进行了对比 ,找出腐蚀 Si1-x Gex ......

介绍了一咱ＳｉＧｅ／Ｓｉ分子束外延异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的研制。该器件采用３μｍ工艺制作，测量得其电流放大系数β为５０，截止效率ｆｒ为５．１ＧＨｚ，表明器件的直流特性和交......