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实验研究表明875°C下N〈,2〉O退火氮化可明显改善7nmSiO〈,2〉栅介质可靠性。氮化栅介质抗FN应力损伤能力增强,表现为Si/SiO2界面态产生受到抑制、体内电子陷......
成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm的N/O(SiN/SiO)stack栅介质,并深入研究其性质.研究结果表明,同样EOT的N/O sta......