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0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺研究
本文主要研究0.35μmCMOS多晶硅栅刻蚀工艺中“硅LOSS”及“T腰”问题的形成机理.在不改变产品工艺流程的前提下,对多晶硅栅刻蚀工艺......
期刊
多晶刻蚀
35μm
CMOS
硅LOSS
T腰
ME
Poly-silicon etch
0. 35μm CMOS
Silicon LOSS
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