Te夹杂相相关论文
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe(CZT)单晶。生长完成后,选取了10~60 K/h不同速率降温处理。采用红外透射显微镜和多道能......
采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法......
本文采用垂直布里奇曼(Bridgman)法生长了尺寸为30 mm×130 mm的Cd1-xMnxTe晶体,利用Nakagawa腐蚀液显示了晶体的位错、Te夹杂......
三元化合物半导体Cd1-xZnxTe(简称CdZnTe或CZT)晶体因其优异的光电性能,被认为是最有前景的室温核辐射探测器材料,在能谱测量和成像......
Cd1-x Mnx Te(CMT)晶体属于II-VI族三元化合物半导体材料,被称为第二代稀释磁性半导体材料,上世纪80年代末,人们开始研究Cd1-xMnx ......
学位
以Cr Te作为掺杂源、以Te作为溶剂,用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的Zn Te晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(〉10 mm×10 mm),且Te夹......