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在电力电子系统中,功率器件起到了极其重要的作用。SiC材料作为宽禁带半导体材料典范,拥有优异的电学物理特性,这使得SiC功率器件......
在宽禁带半导体中,碳化硅(Si C)由于其优异的物理特性(例如高临界电场,高热导率和高饱和电子漂移速度)而在高功率电子领域被广泛应用。......
作为一种新型的宽禁带(WBG)半导体材料,碳化硅(SiC)凭其出色的物理特性越来越收到工业界的关注。作为当今最流行的WBG功率器件,SiC......
学位
与传统的硅(Si)IGBT相比,碳化硅(SiC)功率MOSFET凭借其优异的材料性能可以在高温环境下进一步提高功率电子系统的效率和功率密度。......
针对SiCMOSFET的雪崩特性,利用UIS测试原理,通过功率半导体雪崩耐量测试台,对几大主流制造商的SiCMOSFET器件进行了毁坏性和非毁坏......