VO2(B)薄膜相关论文
采用真空蒸发-真空退火的制备工艺,制备出了特定的VO2(B)型薄膜并给出了最佳制备条件,经X射线衍射(XRD)分析及电学参数测试,其电阻......
本文以能量为1.0MeV的电子束辐照VO2(B)薄膜,对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算,同时使用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光......
采用直流磁控溅射法,在纯氩气氛中溅射V2O5靶材,在覆盖有氮化硅薄膜的P(100)硅基片表面沉积氧化钒薄膜。对沉积的薄膜进行了后续高真空......