WO3ZnO相关论文
以碳球为模板,采用溶剂热法合成了WO3/ZnO复合半导体材料.采用XRD、SEM、EDS对材料物相、形貌、成分和微结构进行了表征,并研究其......
氧化钨(WO_3)作为一种重要的n型半导体,具有较宽的禁带宽度(2.5~2.8 e V)。WO_3在光催化剂中非常有潜力,其优越的物理性能、化学性......
学位